журнал для профессионалов
в химии, материаловедении, нанотехнологиях, науках о жизни
  • Главная
  • Новости
  • В КБР предложили способ повышения эффективности солнечных технологий

В КБР предложили способ повышения эффективности солнечных технологий

В Кабардино-Балкарском государственном университете им. Х.М. Бербекова рассчитали параметры для повышения эффективности солнечных технологий. Вместо популярного кремния в исследование включили минерал перовскит, который снизил стоимость изготовления и повысил коэффициент полезного действия (КПД), сообщили в пресс-службе вуза.

«Перовскитные фотоэлементы способны конкурировать с популярными кремниевыми батареями. Исследователи посчитали, что на КПД фотоэлектрических преобразователей влияет как толщина поглощающего слоя — перовскита, так и отдельные буферные слои. Речь идет об оксиде цинка и оксиде никеля. Ученые рассчитали толщину перовскита, который может повысить КПД солнечных элементов до 24,3%», — пояснили в вузе.

Расчетную модель отличает от кремниевых батарей относительно низкая стоимость изготовления и высокий КПД. Расчетная удельная мощность составила 24,7 мВт/см . Оксид цинка при этом обеспечивает высокую подвижность электронов, а оксид никеля обладает дырочной проводимостью и хорошей эксплуатационной стабильностью. Оба материала отличаются доступностью и низкой стоимостью.

«Для сравнения: коммерческие модели кремния выдают КПД 16-18%. Мы не создавали слои экспериментально, а выполнили компьютерное моделирование в программе SCAPS-1D, чтобы подобрать оптимальные параметры. Полученные результаты целесообразно использовать при оптимизации перовскитных фотоэлектрических преобразователей», — прокомментировал инженер центра микроэлектроники и нанотехнологий КБГУ Артур Агоев.

Исследование при финансовой поддержке Российского научного фонда проводили ученые Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х.М. Бербекова и Северо-Кавказского горно-металлургического института. В команду вошли доктор физико-математических наук Ахмед Кармоков, кандидат технических наук Олег Молоканов, кандидат физико-математических наук Рита Кармокова, доктор технических и экономических наук Евгений Козырев и инженер центра микроэлектроники и нанотехнологий КБГУ Артур Агоев.

Источник: ТАСС. Наука.

Оставить комментарий